제조업체 제품 번호:
IPS09N03LA G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPS09N03LA G-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
재고:
12822937
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제출
IPS09N03LA G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 20µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
63W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-11
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
기본 제품 번호
IPS09N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPS09N03LA G-DG
IPS09N03LAG
IPS09N03LAGX
SP000015131
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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